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【中实创新】IGBT焊片封装空洞率新突破!

【中实创新】IGBT焊片封装空洞率新突破!

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  • 日期:2022-12-02 11:28
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【中实创新】IGBT焊片封装空洞率新突破!

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IGBT,是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

IGBT驱动功率小而饱和压降低,是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT模块的应用决定了其不仅要有极高的可靠性,且要有较长的使用寿命。

 

IGBT在实现电流切换的过程中,会产生较大的功率损耗,因此“散热”是影响其可靠性的重要因素。而芯片焊接处和基片焊接处等位置,是IGBT主要的热量传输通道,焊接处的焊接质量影响了IGBT的可靠性和寿命。

 

研究表明,焊料层内出现空洞时,芯片结温随之增加,且芯片结温与焊料层空洞率几乎成正比。从而影响热循环,造成局部温度过高,降低模块使用寿命。器件的工作温度每升高10℃,其失效率将增大一倍左右。

 

 

因此,IBGT封装,最重要的是降低焊料层的空洞率。

 

 

中实研发IGBT预成型焊片

 

 

国内首创

> IGBT 八元合金焊片

产品特点:

-满足新能源汽车高可靠性、超长寿命需求

 

-更长的产品生命周期性

 

 

> IGBT 加强型等高焊片

产品特点:

高强度

应力分布均匀

焊接层均匀、焊接高度可控

- 低空洞率

 

 

空洞率对比

 

实验数据

以下为对比实验数据,可以看到中实IGBT预成型焊片,有效降低了焊接空洞率,且产品稳定性表现更佳。

 

 

 

目前,中实IGBT预成型焊片已稳定供货于各大半导体企业、新能源汽车企业等。

 

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