IGBT，是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

IGBT驱动功率小而饱和压降低，是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

IGBT模块的应用决定了其不仅要有极高的可靠性，且要有较长的使用寿命。

IGBT在实现电流切换的过程中，会产生较大的功率损耗，因此“散热”是影响其可靠性的重要因素。而芯片焊接处和基片焊接处等位置，是IGBT主要的热量传输通道，焊接处的焊接质量影响了IGBT的可靠性和寿命。

研究表明，焊料层内出现空洞时，芯片结温随之增加，且芯片结温与焊料层空洞率几乎成正比。从而影响热循环，造成局部温度过高，降低模块使用寿命。器件的工作温度每升高10℃，其失效率将增大一倍左右。

因此，IBGT封装，最重要的是降低焊料层的空洞率。

中实研发IGBT预成型焊片

国内首创

> IGBT 八元合金焊片

产品特点：

-满足新能源汽车高可靠性、超长寿命需求

-更长的产品生命周期性

> IGBT 加强型等高焊片

产品特点：

- 高强度

- 应力分布均匀

- 焊接层均匀、焊接高度可控

- 低空洞率

空洞率对比

实验数据

以下为对比实验数据，可以看到中实IGBT预成型焊片，有效降低了焊接空洞率，且产品稳定性表现更佳。

目前，中实IGBT预成型焊片已稳定供货于各大半导体企业、新能源汽车企业等。

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